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孙钱

发布时间:
2018/12/09 15:50
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孙钱
 
博士,研究员
 
  孙钱,现任中科院苏州纳米所研究员、博导,器件部副主任,美国耶鲁大学博士,国家优秀青年自然科学基金获得者,国家技术发明一等奖获得者。2016年加入中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院。 
 
  2002年提前一年从中国科技大学毕业,获材料物理理学学士和计算机科学与技术工程学士双学位,并荣获郭沫若校长奖。同年以全系第一名的成绩免试推荐到中科院半导体所攻读硕士学位。2005年硕士毕业后到美国耶鲁大学深造,于2009年获得博士学位,并荣获耶鲁大学工学院五个系每年唯一的优秀博士毕业生奖Becton奖。博士毕业后在耶鲁大学电子工程系任Associate Research Scientist。2010年6月加入美国硅谷的普瑞光电公司Bridgelux Inc.,任Epi R&D Scientist,负责8英寸硅衬底GaN基高效LED的外延研发。2012年入选江苏省“双创人才”计划和苏州工业园区“金鸡湖双百人才”,2015年被评为中国电子学会优秀科技工作者。 
 
  迄今为止,在Nature Photonics、Nanotechnology、Applied Physics Letters等期刊上发表了70余篇被SCI收录的学术论文,总引用800余次。参与编写了英文专著一章,是20余项美国和中国发明专利的发明人,其中一项已许可给韩国首尔半导体Seoul Semiconductor公司量产LED。曾受国际氮化物会议ICNS、IWN、ICMOVPE、WLED、China SSL、Semicon Taiwan LED等国际会议邀请作特邀报告。此外,还应邀为Nano Letters、Nanotechnology、 Applied Physics Letters等多家国际学术期刊评审论文。目前为国家科技部863计划课题、国家自然科学基金重点项目、工信部电子信息产业发展基金项目、江苏省科技成果转化专项、江苏省科技支撑计划项目、及苏州市科技计划项目等的负责人。 
 
  十余年以来一直致力于宽禁带半导体GaN基材料生长及新型高效LED、激光器、GaN基功率电子器件等的研发与产业化。 
 
  (1)在美国硅谷的普瑞光电公司工作期间,在8英寸硅衬底上实现了160流明/瓦的高光效GaN基LED。普瑞光电公司已将该技术转售给日本东芝公司,获技术转让费逾1亿美元。回国后与晶能光电有限公司进行产学研实质性合作,兼任公司硅衬底GaN基LED研发副总裁,带领团队成功研发出新一代硅衬底GaN基高效LED的外延及芯片工艺技术,并在全球率先成功产业化,2014年晶能光电基于该技术而新增的LED产品销售逾3亿人民币(毛利率逾40%),打破了国际上基于蓝宝石和碳化硅衬底的LED技术专利对我国的封锁。孙钱博士因此荣获2016年国家技术发明一等奖。 
 
  (2)2015年实现了国际上第一支硅衬底GaN基蓝紫光激光器(氮化物半导体的另一种重要光电器件)的电注入室温连续激射,有望大幅降低GaN基激光器的制造成本,加速推进我国激光显示与激光照明等战略新兴产业发展,而且还为硅基光电集成提供了一种新的技术路线。部分成果已发表在Nature Photonics 
 
  (3)在Si衬底氮化物电力电子方面,孙钱研究员的课题组研发的硅基氮化物外延材料的击穿电压已突破1500V,并且通过P型栅实现了增强型电力电子器件,将推进我国第三代半导体电力电子器件的产业化进程。 
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